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GT40T301

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

ParallelResonanceInverterSwitchingApplications ??????? ?FRDincludedbetweenemitterandcollector ?Enhancementmodetype ?HighspeedIGBT:tf=0.25μs(typ.)(IC=40A) FRD:trr=0.7μs(typ.)(di/dt=?20A/μs) ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=3.7V(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT40T301

Silicon N Channel IGBT Parallel Resonance Inverter Switching Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT40T301

Discrete IGBTs

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT40T301_06

Silicon N Channel IGBT Parallel Resonance Inverter Switching Applications

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    GT40T301

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 1.5KV 40A 3PIN TO-3P(LH) - Bulk

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA東芝原裝
ROHS全新原裝
TO3P
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日本東芝原裝代理經(jīng)銷MOS系列QQ350053121長期備貨
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600
專做原裝正品,假一罰百!
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更多GT40T301供應(yīng)商 更新時間2024-11-5 13:39:00