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GT20N135SRA,S1E 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

GT20N135SRA,S1E參考圖片

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  • 廠家型號：

    GT20N135SRA,S1E

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

  • 庫存數(shù)量：

    69000

  • 產(chǎn)品封裝：

    N/A

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-2 11:06:00

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原廠料號：GT20N135SRA,S1E

一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價格-不悔選擇

GT20N135SRA,S1E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝N/A/TO-247-3的GT20N135SRA,S1E晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    GT20N135SRA,S1E

  • 規(guī)格書：

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產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    GT20N135SRA,S1E

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    -，700μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測試條件：

    300V，40A，39 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=40A

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    董先生 李先生

  • 手機(jī)：

    19924492152

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82542579 19924492152

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振中路華強(qiáng)廣場C座26J

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