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GT10Q101

High Power Switching Applications

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT10Q101

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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GT10Q101

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

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GT10Q101_06

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    GT10Q101

  • 制造商：

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述：

    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

  • 功能描述：

    IGBT 1200V TO-3P(N)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多GT10Q101供應(yīng)商 更新時間2024-11-17 18:43:00

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