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GT10Q101

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT10Q101

SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications

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HighPowerSwitchingApplications

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    GT10Q101 (Q)

  • 制造商：

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述：

    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA/東芝
23+
TO-3P
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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2022
TO-3P
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價
TOSHIBA/東芝
24+
TO3P
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
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11+
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原裝正品長期供貨，如假包賠包換 徐小姐13714450367
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TOS
23+
65480
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TOSHIBA/東芝
20+
TO-3P(N)
36900
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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TO-3P(N)
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6000
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更多GT10Q101 (Q)供應(yīng)商 更新時間2024-11-17 11:00:00

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