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CIC10J301

ChipBeadCIC/CISSeriesForHighCurrent

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

CIM10J301

ChipBeadForEMISuppression

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

CIM10J301NC

ChipBeadCIB/CIMSeriesForEMISuppression

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

GT10J301

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT10J301

NCHANNELIGBT(HIGHPOWERSWITCHING,MOTORCONTROLAPPLICATIONS)

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號:

    GT10J301(Q)

  • 制造商:

    Toshiba

  • 功能描述:

    600V 10A Bulk

  • 功能描述:

    Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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16年現(xiàn)貨庫存供應(yīng)商終端BOM表可配單提供樣品
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更多GT10J301(Q)供應(yīng)商 更新時間2024-11-17 11:00:00