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GS-065-011-1-L

650VE-modeGaNtransistor

Features ?650Venhancementmodepowertransistor ?850Vtransientdrain-to-sourcevoltage ?Bottom-cooled,small5x6mmPDFNpackage ?RDS(on)=150mΩ ?IDSmax,DC=11A/IDSmax,Pulse=19A ?Ultra-lowFOM ?Simplegatedriverequirements(0Vto6V) ?Transienttolerantgatedrive(

GAN

GaN Systems

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GANSYSTEMS
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