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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
GMB624	文件：206.78 Kbytes Page：2 Pages	PNP Low Frequency Amplifier Transistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壯桂微電子有限責(zé)任公司	GSME
HAB624	文件：408.8 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
HJS624	文件：248.85 Kbytes Page：1 Pages	Category6ShieldedJackwithCobra-Lock??Termination	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
HMC624A	文件：578.55 Kbytes Page：15 Pages	0.1GHzto6.0GHz,0.5dBLSB,6-Bit,GaAsDigitalAttenuator	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
ICA-624-SGT	文件：596.63 Kbytes Page：1 Pages	AUTOMATEDINSERTIONDIPSOCKETS	Samtec Samtec, Inc	Samtec
ICA-624-ZEGG	文件：596.63 Kbytes Page：1 Pages	AUTOMATEDINSERTIONDIPSOCKETS	Samtec Samtec, Inc	Samtec
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ICF-624-S-O	文件：1.30223 Mbytes Page：1 Pages	SMTDIP&CHIPCARRIERSOCKETS	Samtec Samtec, Inc	Samtec
ICF-624-S-O	文件：372.91 Kbytes Page：1 Pages	SMTDIPCHIPCARRIERSOCKETS	Samtec Samtec, Inc	Samtec
ICF-624-S-O	文件：440.8 Kbytes Page：1 Pages	SMTDIPCHIPCARRIERSOCKETS	Samtec Samtec, Inc	Samtec
IPM-C624	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪訊	JDSU
IPM-L624	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪訊	JDSU
IQS624	文件：2.80645 Mbytes Page：62 Pages	Halleffectanglesensor:On-chipHallplates	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
IQXO-624	文件：207.72 Kbytes Page：2 Pages	CrystalClockOscillatorSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IRF624	文件：874.76 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF624	文件：149.94 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF624	文件：45.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Designedforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulse. ?FEATURES ?RDS(on)=1.1Ω ?3.8Aand250V ?singlepulseavalancheenergyrated ?SOAisPower-DissipationLimited ?LinearTransfe	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF624	文件：159.2 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF624A	文件：220.79 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ?AvalancheRuggedTechnology ?RuggedGateOxideTechnology ?LowerInputCapacitance ?ImprovedGateCharge ?ExtendedSafeOperatingArea ?LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=250V ?LowRDS(ON):0.742?(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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