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首頁>FT150R12KE3_B5>芯片詳情
FT150R12KE3_B5_INFINEON/英飛凌_IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 200A廣霖泰科技
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FT150R12KE3_B5
- 功能描述:
IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 200A
- RoHS:
否
- 制造商:
Infineon Technologies
- 產(chǎn)品:
IGBT Silicon Modules
- 配置:
Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
600 V
- 集電極—射極飽和電壓:
1.95 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流:
230 A
- 柵極—射極漏泄電流:
400 nA
- 功率耗散:
445 W
- 最大工作溫度:
+ 125 C
- 封裝/箱體:
34MM
供應商
- 企業(yè):
深圳市廣霖泰科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
謝功名
- 手機:
18126108519
- 詢價:
- 電話:
18126108519
- 地址:
深圳市龍崗區(qū)坂田街道馬安堂社區(qū)環(huán)城南路5號坂田國際中心C棟四層409
相近型號
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