首頁(yè)>FS15R06VE3_B2>芯片詳情

FS15R06VE3_B2_INFINEON/英飛凌_IGBT 模塊 IGBT-MODULE高捷芯城

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    FS15R06VE3_B2

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    935

  • 產(chǎn)品封裝:

    AG-EASY750-1

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    23+

  • 庫(kù)存類型:

    熱賣庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-26 8:12:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào):FS15R06VE3_B2品牌:Infineon(英飛凌)

原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)

  • 芯片型號(hào):

    FS15R06VE3_B2

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱:

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    8 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    469.33 kb

  • 資料說(shuō)明:

    IGBT-Module

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    FS15R06VE3_B2

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 IGBT-MODULE

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    陳小姐

  • 手機(jī):

    13554797626

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-82538261

  • 傳真:

    0755-82550578

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1006號(hào)航都大廈10層