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FQPF6N80CT

N-Channel QFET? MOSFET 800 V, 5.5 A, 2.5 廓

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQPF6N80T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.95Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

HM6N80K

Powerswitchcircuitofadaptorandcharger

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

IXTH6N80

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTH6N80

N-ChannelEnhancementMode

StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

IXTH6N80A

N-ChannelEnhancementMode

StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

IXTH6N80A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTM6N80

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXTM6N80

N-ChannelEnhancementMode

StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

IXTM6N80A

N-ChannelEnhancementMode

StandardPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(

IXYS

IXYS Corporation

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    FQPF6N80CT

  • 功能描述：

    MOSFET 800V N-Ch Adv Q-FET C-Series

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
onsemi
24+
TO-220F-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢(xún)價(jià)
FAIRCHILD/仙童
24+
TO220F
500
原廠授權(quán)代理 價(jià)格絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
 詢(xún)價(jià)
Fairchild
23+
TO-220F
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢(xún)價(jià)
Fairchild
24+
TO-220F
318
詢(xún)價(jià)
FAIRCHILD
22+23+
TO220F
7646
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
FAIRCHILD/仙童
22+
TO220F
22131
原裝正品現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢(xún)價(jià)
ON
20+
SMD
11520
特價(jià)全新原裝公司現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
FAIRCHILD/仙童
2022+
45
全新原裝 貨期兩周
 詢(xún)價(jià)
ON/安森美
24+
SMD
1000
原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
更多FQPF6N80CT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-5 15:15:00

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