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FQPF70N10	文件：625.46 Kbytes Page：8 Pages	100V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF70N10	文件：295.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPB70N10SL	文件：332.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPI70N10SL	文件：326.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPP70N10SL	文件：341.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NP70N10KUF	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
NP70N10KUF	文件：344.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
PJD70N10	文件：297.1 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
PJD70N10SA-AU	文件：476.76 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
PJP70N10L	文件：314.72 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@20A	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
RLD70N10	文件：1.13919 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features ?VDS=100V,ID=70A ?RDS(ON)=8.3mΩ@VGS=10V ?HighPowerandcurrenthandingcapability ?Leadfreeproductisacquired ?SurfaceMountPackage MainApplications ?BatteryProtection ?LoadSwitch ?PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
SFF70N10C	文件：43.21 Kbytes Page：2 Pages	70AMP600VOLT0.030ohmN-ChannelPowerMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFF70N10M	文件：46.67 Kbytes Page：2 Pages	70AMP600VOLT0.030ohmN-ChannelPowerMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SFF70N10Z	文件：46.67 Kbytes Page：2 Pages	70AMP600VOLT0.030ohmN-ChannelPowerMOSFET	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SPB70N10L	文件：514.21 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPI70N10L	文件：514.21 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPP70N10L	文件：514.21 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPower-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SSF70N10A	文件：265.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSH70N10	文件：262.38 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.018Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSH70N10A	文件：278.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FQPF70N10
功能描述：
MOSFET 100V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	FQPF70N10	onsemi	24+	TO-220F-3	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢(xún)價(jià)
深圳市金芯陽(yáng)科技有限公司	FQPF70N10	FSC	15+	原廠(chǎng)原裝	3000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢(xún)價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	FQPF70N10	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-220	3580	原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)歡迎詢(xún)價(jià)	詢(xún)價(jià)
深圳市英瑞芯科技有限公司	FQPF70N10	ON-SEMI	20+		6000	英瑞芯現(xiàn)貨庫(kù)存	詢(xún)價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQPF70N10	onsemi(安森美)	23+	TO-220F	7828	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。	詢(xún)價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	FQPF70N10	仙童	06+	TO-220F	3000	原裝庫(kù)存	詢(xún)價(jià)
深圳市粵科源興科技有限公司	FQPF70N10	DISCRETE	50	FSC	3000		詢(xún)價(jià)
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	FQPF70N10	FAIRCHIL	2015+	TO-220F	12500	全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存長(zhǎng)期供應(yīng)	詢(xún)價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	FQPF70N10	FSC進(jìn)口原	17+	TO-220F	6200		詢(xún)價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	FQPF70N10	Fairchi	2016+	TO-220F	6528	房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十	詢(xún)價(jià)

更多FQPF70N10供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-18 10:12:00

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