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FQP55N10

100V N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQP55N10

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=26mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRITION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FQP55N10

55A,100V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

FQPF55N10

100VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQPF55N10

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=34.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.026Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

HRP55N10K

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

HRP55N10K

100VN-ChannelTrenchMOSFET

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

KSM55N10

100VN-ChannelMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

MTE55N10FP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

MTM55N10

N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

55and60AMPERE N-ChannelTMOSPOWERFETs rDS(on)=0.04OHM80and100VOLTS rDS(on)=0.28OHM50and60VOLTS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    FQP55N10

  • 功能描述：

    MOSFET 100V N-Channel QFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FSC/仙童
13+
TO-220
50000
深圳市勤思達(dá)科技有限公司主營仙童系列全新原裝正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)FQP55N10,歡迎咨詢洽談。
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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TO-220
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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更多FQP55N10供應(yīng)商 更新時間2025-3-10 11:04:00

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