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FQU3N50C

500VN-ChannelMOSFET

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQU3N50C

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FQU3N50CTU

500VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQU3N50CTU

500VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

IXFP3N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFP3N50PM

PolarHVHiPerFETPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTA3N50P

PolarHVPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTP3N50P

PolarHVPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTY3N50P

PolarHVPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

JMP3N50B

JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd.

捷捷微江蘇捷捷微電子股份有限公司

PDF上傳者：深圳市溢航科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FQD3N50CTF

  • 功能描述：

    MOSFET 500V N-Channel Advancd QFET C-seris

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FQD3N50CTF供應商 更新時間2025-6-9 16:12:00

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