FMG1G75US60H_分立半導體產品 晶體管-IGBT-模塊-安森美半導體

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原廠料號:FMG1G75US60H品牌:onsemi

資料說明:IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA

FMG1G75US60H是分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商ONSEMI/安森美半導體生產封裝7PM-GA的FMG1G75US60H晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

  • 芯片型號:

    fmg1g75us60h

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導體公司

  • 資料說明:

    IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA

產品屬性

  • 類型

    描述

  • 產品編號:

    FMG1G75US60H

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • 配置:

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,75A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    7PM-GA

  • 供應商器件封裝:

    7PM-GA

  • 描述:

    IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA

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