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50MT060WH_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊-Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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  • 廠家型號(hào)：

    50MT060WH

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    0

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊

  • 封裝外殼：

    12-MTP 模塊

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 安裝類(lèi)型：

    底座安裝

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-13 17:05:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：50MT060WH品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

資料說(shuō)明：IGBT MODULE 600V 114A 658W 12MTP

50MT060WH是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商Vishay General Semiconductor - Diodes Division生產(chǎn)封裝12-MTP 模塊的50MT060WH晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開(kāi)關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對(duì)稱(chēng)式橋； 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號(hào)：

    50mt060wh

  • 規(guī)格書(shū)：

    原廠下載 下載

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT MODULE 600V 114A 658W 12MTP

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    50MT060WH

  • 制造商：

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • IGBT 類(lèi)型：

    PT

  • 配置：

    半橋

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.2V @ 15V，100A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無(wú)

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    12-MTP 模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    12-MTP

  • 描述：

    IGBT MODULE 600V 114A 658W 12MTP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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