CPV362M4F_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊-Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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  • 廠家型號:

    CPV362M4F

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 庫存數(shù)量:

    0

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊

  • 封裝外殼:

    19-SIP(13 引線),IMS-2

  • 包裝:

    托盤

  • 安裝類型:

    通孔

  • 更新時間:

    2025-1-13 20:17:00

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原廠料號:CPV362M4F品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

資料說明:IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2

CPV362M4F是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商Vishay General Semiconductor - Diodes Division生產(chǎn)封裝19-SIP(13 引線),IMS-2的CPV362M4F晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導體器件,主要用作電子開關,兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

  • 芯片型號:

    cpv362m4f

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 資料說明:

    IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    CPV362M4F

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.66V @ 15V,8.8A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    19-SIP(13 引線),IMS-2

  • 供應商器件封裝:

    IMS-2

  • 描述:

    IGBT MODULE 600V 8.8A 23W IMS-2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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