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FGY75T95SQDT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
FGY75T95SQDT |
| 參數(shù)屬性 | FGY75T95SQDT 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 950V 75A |
| 功能描述 | IGBT - Field Stop, Trench 75 A, 950 V |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | TO-247-3LD / TO-247-3 |
| 文件大小 |
596.81 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-28 16:00:00 |
FGY75T95SQDT規(guī)格書詳情
FGY75T95SQDT屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FGY75T95SQDT晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
FGY75T95SQDT
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.11V @ 15V，75A
- 開關(guān)能量：
8.8mJ（開），3.2mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
28.8ns/117ns
- 測(cè)試條件：
600V，75A，4.7 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 950V 75A
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJI |
23+ |
Tray |
500 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
FUJI |
2023 |
NA |
2580 |
原廠代理渠道,正品保障 |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ONN |
2405+ |
原廠封裝 |
300 |
只做原裝優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫存 渠道可追溯 |
詢價(jià) | ||
ON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
FUJI |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢價(jià) | ||
FUJITSU |
19+ |
TO247 |
60 |
全新原裝只做自己庫存只做原裝 |
詢價(jià) | ||
飛虹 |
22+ |
TO-3PN/TO-247 |
50000 |
飛虹原廠渠道,技術(shù)支持 |
詢價(jià) | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO-247 |
1224 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價(jià) |
