首頁>FGY75T95LQDT>規(guī)格書詳情

FGY75T95LQDT分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGY75T95LQDT
廠商型號

FGY75T95LQDT

參數(shù)屬性

FGY75T95LQDT 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 950V 75A

功能描述

IGBT - Field Stop, Trench 75 A, 950 V
IGBT 950V 75A

絲印標識

FGY75T95LQDT

封裝外殼

TO-247-3LD / TO-247-3

文件大小

665.77 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-15 11:08:00

FGY75T95LQDT規(guī)格書詳情

FGY75T95LQDT屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產的FGY75T95LQDT晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    FGY75T95LQDT

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.69V @ 15V,75A

  • 開關能量:

    2mJ(開),1.8mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    52ns/496ns

  • 測試條件:

    600V,37.5A,4.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 950V 75A

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FUJITSU
19+
TO247
60
全新原裝只做自己庫存只做原裝
詢價
FUJI
23+
Tray
500
原裝正品
詢價
飛虹
22+
TO-3PN/TO-247
50000
飛虹原廠渠道,技術支持
詢價
ON(安森美)
2112+
TO-252-3
115000
450個/管一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期
詢價
ON
21+
NA
3000
進口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
詢價
onsemi
兩年內
NA
187
實單價格可談
詢價
ON
21+
NA
3000
進口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
詢價
ON(安森美)
23+
NA/
8735
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持!
詢價
onsemi(安森美)
23+
TO-247
1224
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
詢價
onsemi
24+
TO-247-3
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經營 免費試樣正品保證
詢價