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FGPF90N30

300V, 90A PDP IGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGPF90N30

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 整包 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 300V 56.8W TO220F

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

DAM90N30D

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

DAM90N30G

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

FGA90N30

300VPDPIGBT

Description EmployingUnifiedIGBTTechnology,FGA90N30provideslowconductionandswitchingloss.FGA90N30offerstheoptimumsolutionforPDPapplicationswherelowcondutionlossisessential. Features ?HighCurrentCapability ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat),Typ=1.1V@IC=

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGA90N30D

300VPDPIGBT

Description EmployingUnifiedIGBTTechnology,FGA90N30Dprovideslowconductionandswitchingloss.FGA90N30DofferstheoptimumsolutionforPDPapplicationswherelowcondutionlossisessential. Features ?HighCurrentCapability ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat),Typ=1.1V@IC

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGFP90N30TU

300V,90APDPIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGP90N30

300V,90APDPIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGP90N30TU

300V,90APDPIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IXFK90N30

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=33mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFK90N30

HiPerFETPowerMOSFETs

Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?Fastintrinsicrectifier Applications ?DC-DCconverters ?Battery

IXYS

IXYS Corporation

IXFN90N30

HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFR90N30

PowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFR90N30

HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247

HiPerFET?PowerMOSFETsISOPLUS247?(ElectricallyIsolatedBackSurface) SingleMOSFETDie Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?Lowdraintotabcapacitance(

IXYS

IXYS Corporation

IXFX90N30

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=33mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFX90N30

HiPerFETPowerMOSFETs

Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?Fastintrinsicrectifier Applications ?DC-DCconverters ?Battery

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    FGPF90N30

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.55V @ 15V，30A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220F-3

  • 描述：

    IGBT 300V 56.8W TO220F

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
17+
TO-220F
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
FAIRCHILD
24+
TO-220F
8866
詢價
FAIRCHILD
23+
TO-220F
13643
全新原裝
 詢價
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
FAIRCHILD
1822+
TO-220F
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!!
 詢價
FAIRCHILD
18+
TO-220F
41200
原裝正品,現(xiàn)貨特價
 詢價
FSC/ON
23+
原包裝原封 □□
991
原裝進(jìn)口特價供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢 庫存
 詢價
RENESAS/瑞薩
23+
SOP-4
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
 詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-220F
10000
公司只做原裝正品
 詢價
Fairchild/ON
21+
TO220F
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
更多FGPF90N30供應(yīng)商 更新時間2025-1-5 14:00:00

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