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FGP20N6S2	文件：183.25 Kbytes Page：8 Pages	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT GeneralDescription TheFGH20N6S2DFGP20N6S2D,FGB20N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandhighavalanchecapability(UIS). TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGP20N6S2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 28A 125W TO220AB	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FGP20N6S2D	文件：231.95 Kbytes Page：9 Pages	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Stealth Diode GeneralDescription TheFGH20N6S2DFGP20N6S2D,FGB20N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandhighavalanchecapability(UIS). TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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20N6S2D	文件：231.95 Kbytes Page：9 Pages	600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelStealthDiode GeneralDescription TheFGH20N6S2DFGP20N6S2D,FGB20N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandhighavalanchecapability(UIS). TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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FGB20N6S2D	文件：231.95 Kbytes Page：9 Pages	600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelStealthDiode GeneralDescription TheFGH20N6S2DFGP20N6S2D,FGB20N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandhighavalanchecapability(UIS). TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGB20N6S2D	文件：232.38 Kbytes Page：9 Pages	600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelStealthTMDiode GeneralDescription TheFGH20N6S2DFGP20N6S2D,FGB20N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandhighavalanchecapability(UIS). TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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產品屬性

產品編號：
FGP20N6S2
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，7A
開關能量：
25μJ（開），58μJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
7.7ns/87ns
測試條件：
390V，7A，25 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應商器件封裝：
TO-220-3
描述：
IGBT 600V 28A 125W TO220AB

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