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FGB20N6S2D中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

FGB20N6S2D
廠商型號(hào)

FGB20N6S2D

功能描述

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Stealth Diode

文件大小

231.95 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-10 9:11:00

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FGB20N6S2D規(guī)格書(shū)詳情

General Description

The FGH20N6S2D FGP20N6S2D, FGB20N6S2D are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge, plateau voltage and high avalanche capability (UIS).

These LGC devices shorten delay times, and reduce the power requirement of the gate drive. These devices are ideally suited for high voltage switched mode power supply applications where low conduction loss, fast switching times and UIS capability are essential.

SMPS II LGC devices have been specially designed for:

? Power Factor Correction (PFC) circuits

? Full bridge topologies

? Half bridge topologies

? Push-Pull circuits

? Uninterruptible power supplies

? Zero voltage and zero current switching circuits

Features

? 100kHz Operation at 390V, 7A

? 200kHZ Operation at 390V, 5A

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . 85ns at TJ = 125oC

? Low Gate Charge . . . . . . . . . 30nC at VGE = 15V

? Low Plateau Voltage . . . . . . . . . . . . .6.5V Typical

? UIS Rated . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mJ

? Low Conduction Loss

? Low Eon

? Soft Recovery Diode

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FGB20N6S2D

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 Comp N-Ch 600V

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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