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首頁(yè)>FGP20N60UFDTU>芯片詳情
FGP20N60UFDTU 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):FGP20N60UFDTU品牌:ON
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷(xiāo)售
FGP20N60UFDTU是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)N/onsemi生產(chǎn)封裝N/A/TO-220-3的FGP20N60UFDTU晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
FGP20N60UFDTU
- 制造商:
onsemi
- 類(lèi)別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類(lèi)型:
場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,20A
- 開(kāi)關(guān)能量:
380μJ(開(kāi)),260μJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
13ns/87ns
- 測(cè)試條件:
400V,20A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 600V 40A 165W TO220
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市勤思達(dá)科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
唐小姐
- 手機(jī):
13662585201
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
0755-83955172
- 傳真:
0755-83955172
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北賽格科技園4棟中12樓A4-2L
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