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FGH30N60LSDTU	文件：714.63 Kbytes Page：9 Pages	Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC = 30A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH30N60LSDTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 60A TO247-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FGW30N60VD	文件：656.97 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/30A	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
G30N60	文件：178.25 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60A4combinesthebestfeaturesofhighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.ThisIGBTisidealformanyhighvoltageswitchingapplicationsoperatingathighfrequencieswherelowconductionlossesareessential.Thisdevicehasbeen	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
G30N60	文件：221.78 Kbytes Page：8 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
G30N60	文件：116.91 Kbytes Page：7 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	Intersil Intersil Corporation	Intersil
G30N60	文件：144.62 Kbytes Page：8 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
G30N60	文件：105.22 Kbytes Page：7 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	Intersil Intersil Corporation	Intersil
G30N60	文件：191.86 Kbytes Page：9 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwith TheHGTG30N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderat	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
G30N60	文件：92.78 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60A4isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	Intersil Intersil Corporation	Intersil
G30N60	文件：100.45 Kbytes Page：9 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG30N60A4DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolar	Intersil Intersil Corporation	Intersil
G30N60	文件：367.38 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
G30N60HS	文件：389.58 Kbytes Page：12 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
HIA30N60BP	文件：663.24 Kbytes Page：7 Pages	600VPTIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HIH30N60BP	文件：643.46 Kbytes Page：7 Pages	600VPTIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
ICE30N60W	文件：958.35 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	MICROSS Micross Components	MICROSS
ICE30N60W	文件：589.91 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS
IGB30N60T	文件：674.12 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGB30N60T	文件：358.23 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGB30N60T	文件：465.76 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchStoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
FGH30N60LSDTU
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.4V @ 15V，30A
開關能量：
1.1mJ（開），21mJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
18ns/250ns
測試條件：
400V，30A，6.8 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應商器件封裝：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 60A TO247-3

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市浩睿澤電子科技有限公司	FGH30N60LSDTU	onsemi/安森美	新批次	TO-247	4500		詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	FGH30N60LSDTU	onsemi(安森美)	23+	TO-247	921	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務	詢價
深圳市億智騰科技有限公司	FGH30N60LSDTU	原廠原包	24+	原裝	38560	原裝進口現(xiàn)貨,工廠客戶可以放款。17377264928微信同	詢價
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司	FGH30N60LSDTU	ON/安森美	2410+	TO-247	30000	原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.	詢價
深圳市一線半導體有限公司	FGH30N60LSDTU	Fairchild	24+	TO-247	235		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	FGH30N60LSDTU	Fairchild	23+	TO-3P	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	FGH30N60LSDTU	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	FGH30N60LSDTU	FSC正品	22+23+	TO-247	24907	絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	FGH30N60LSDTU	FSC進口原	19+	TO-247	9860	一級代理	詢價
深圳市納立科技有限公司	FGH30N60LSDTU		三年內		1983	納立只做原裝正品13590203865	詢價

更多FGH30N60LSDTU供應商更新時間2024-11-7 16:18:00

產(chǎn)品屬性

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