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FGA25N120FTD

1200V, 25A Field Stop Trench IGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGA25N120FTD

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 50A 313W TO3P

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGH25N120FTDS

1200V,25AFieldStopTrenchIGBT

GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchtechnology,Fairchild’s1200VtrenchIGBTsoffertheoptimumperformanceforhardswitchingapplicationsuchassolarinverter,UPS,welderandPFCapplications. Features ?HighSpeedSwitching ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.60V@

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGW25N120VD

DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/25A

Features Lowpowerloss Lowswitchingsurgeandnoise Highreliability,highruggedness(RBSOA,SCSOAetc.) Applications InverterforMotordrive ACandDCServodriveamplifer Uninterruptiblepowersupply

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社

HGH25N120A

N-ChannelEnhancementInsulatedGateBipolarTransistor

HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司

HIH25N120TN

1200VNPTTrenchIGBT

SEMIHOW

SemiHow Co.,Ltd.

HM25N120FT

1200V/25ATrenchFieldStopIGBT

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HM25N120T

DAXIN??IGBTsofferlowerlossesandhigherenergyforapplicationsuchasmotordrive,UPS,inverterandothersoftswitchingapplications.

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

IXEH25N120

NPT3IGBT

Features ?NPT3IGBT -positivetemperaturecoefficientof saturationvoltageforeasyparalleling -fastswitching -shorttailcurrentforoptimized performanceinresonantcircuits ?optionalHiPerFRED?diode -fastreverserecovery -lowoperatingforward

IXYS

IXYS Corporation

IXGH25N120

LowVCE(sat)HighspeedIGBT

LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DC

IXYS

IXYS Corporation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    FGA25N120FTD

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，25A

  • 開關(guān)能量：

    340μJ（開），900μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    48ns/210ns

  • 測試條件：

    600V，25A，15歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A 313W TO3P

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD
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更多FGA25N120FTD供應(yīng)商 更新時間2025-2-28 16:23:00

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