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FGB40N6S2

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT

GeneralDescription TheFGH40N6S2,FGP40N6S2andtheFGB40N6S2areLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandavalanchecapability(UIS).TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andreduc

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGH40N6S2

600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBT

GeneralDescription TheFGH40N6S2,FGP40N6S2andtheFGB40N6S2areLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandavalanchecapability(UIS).TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andreduc

FairchildFairchild Semiconductor

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FGH40N6S2D

600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelStealthTMDiode

GeneralDescription TheFGH40N6S2DisaLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTcombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandavalanchecapability(UIS).TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andreducethepowerrequirementoft

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FGP40N6S2

600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBT

GeneralDescription TheFGH40N6S2,FGP40N6S2andtheFGB40N6S2areLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandavalanchecapability(UIS).TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andreduc

FairchildFairchild Semiconductor

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    FGB40N6S2

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 Sgl 600V N-Ch

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FGB40N6S2供應(yīng)商 更新時間2025-1-1 17:06:00

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