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FDI036N10A

Marking：I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDP036N10A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=214A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDP036N10A

N-ChannelPowerTrench?MOSFET100V,214A,3.6m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

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更多FDI036N10A供應商 更新時間2025-2-28 15:05:00

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