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FDI3652

N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16m?

Features ?rDS(ON)=14m?(Typ.),VGS=10V,ID=61A ?Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?DC/DCConvertersandOff-lineUPS ?DistributedPowerArchitectures

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDI3652

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=61A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmo

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDP3652

N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,61A,16m?

Features ?rDS(ON)=14m?(Typ.),VGS=10V,ID=61A ?Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V ?LowMillerCharge ?LowQRRBodyDiode ?UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) ?QualifiedtoAECQ101 Applications ?DC/DCConvertersandOff-lineUPS ?DistributedPowerArchitectures

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDP3652

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=61A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

GPDR3652

RECTIFIERDIODE

GPSEMI

Green Power Solutions srl

GPDR3652

RECTIFIERDIODE

RECTIFIERDIODE VOLTAGEUPTO2400V AVERAGECURRENT6520A SURGECURRENT60kA

GPSEMI

Green Power Solutions srl

HP-3652-B

HANDHELDPLASTICSTYLE2

BUD

Bud Industries, Inc.

JHV3652

HIGHVOLTAGERECTIFIERASSEMBLY

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

KDB3652

N-ChannelPowerTrenchMOSFET

Features ●rDS(ON)=14mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=61A ●Qg(tot)=41nC(Typ.),VGS=10V ●LowMillerCharge ●LowQRRBodyDiode ●UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

LT3652

PowerTracking2ABatteryChargerforSolarPower

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導體

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FDI3652

  • 功能描述：

    MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD
24+
TO-262(I2PAK)
8866
詢價
FAIRCHILD
23+
原廠原裝
13130
全新原裝
 詢價
FAIRCHILD
24+
TO-262
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣
 詢價
FAIRC
24+
TO-262(I2PAK)
16800
絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?
 詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-262
24190
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
 詢價
FAIRCHILD/仙童
21+
TO-262
30000
優(yōu)勢供應 實單必成 可13點增值稅
 詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-262
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
FAIRCHILD
23+
TO-262
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
Fairchild/ON
22+
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
更多FDI3652供應商 更新時間2025-3-1 14:30:00

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