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FDG6301N-F085中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDG6301N-F085
廠商型號

FDG6301N-F085

功能描述

Dual N-Channel, Digital FET

絲印標(biāo)識

FDG6301N

封裝外殼

SC-88

文件大小

640.17 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-22 23:00:00

FDG6301N-F085規(guī)格書詳情

Features

? 25 V, 0.22 A Continuous, 0.65 A Peak

? RDS(ON) = 4 Ω @ VGS = 4.5 V,

? RDS(ON) = 5 Ω @ VGS = 2.7 V.

? Very Low Level Gate Drive Requirements allowing Directop?

Eration in 3 V Circuits (VGS(th) < 1.5 V)

? Gate?Source Zener for ESD Ruggedness ( >6 kV Human Body Model)

? Compact Industry Standard SC70?6 Surface Mount Package.

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Applications

? Low Voltage Applications as a Replacement for Bipolar Digital

Transistors and Small Signal MOSFETs

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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