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FDG329N中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDG329N
廠商型號

FDG329N

功能描述

20V N-Channel PowerTrench MOSFET

文件大小

79.84 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-26 8:30:00

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FDG329N規(guī)格書詳情

General Description

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized use in small switching regulators, providing an extremely low RDS(ON) and gate charge (QG) in a small package.

Features

? 1.5 A, 20 V. RDS(ON) = 90 mΩ @ VGS = 4.5 V. RDS(ON) = 115 mΩ @ VGS = 2.5 V

? Fast switching speed

? Low gate charge (3.3 nC typical)

? High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

? High power and current handling capability.

Applications

? DC/DC converter

? Power management

? Load switch

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDG329N

  • 功能描述:

    MOSFET 20V N-Ch PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FSC
2016+
SOT363
3000
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19+
SC70-6
200000
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18800
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23+
SOT-363
3000
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FAIRCHILD/仙童
2023+PB
SC70-6
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