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FDG330P_ONSEMI/安森美半導體_MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V英科美電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FDG330P
- 功能描述:
MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市英科美電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張先生
- 手機:
15507502698
- 詢價:
- 電話:
0755-23903058
- 傳真:
0755-23905869
- 地址:
深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟730
相近型號
- FDG332PZCT
- FDG332PZIC
- FDG328P-NL
- FDG332PZ-NL
- FDG328P
- FDG361N
- FDG327NZ-NL
- FDG327NZNL
- FDG361N-NL
- FD-G4
- FDG327NZ_08
- FDG410NZ
- FDG327NZ
- FDG410NZMOS
- FDG327N-NL
- FDG327NNL
- FDG410NZ-NL
- FDG410NZ-VB
- FDG327N
- FD-G500
- FDG327
- FDG602P
- FDG602P-NL
- FDG6222C
- FDG326P-NL
- FDG6222C-NL
- FDG627NZ
- FDG326P-F40
- FDG6301
- FDG326P_NL
- FDG6301G
- FDG6301N
- FDG326P
- FDG6301N(Q)
- FDG326
- FDG6301N_D87Z
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- FDG318P-NL
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