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FCPF11N65	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FCPF11N65-G	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
HMS11N65	文件：729.14 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperJunctionMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HMS11N65F	文件：721.43 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelSuperJunctionMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HMS11N65I	文件：882.25 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HMS11N65K	文件：882.25 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET?	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
ICE11N65FP	文件：596.15 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ICEMOS Icemos Technology	ICEMOS
ICE11N65FP	文件：978.14 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	MICROSS Micross Components	MICROSS
KPS11N65D	文件：389.46 Kbytes Page：6 Pages	ThisSuperJunctionMOSFEThasbettercharacteristics	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KPS11N65F	文件：390.84 Kbytes Page：6 Pages	ThisSuperJunctionMOSFEThasbettercharacteristics	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
MDF11N65B	文件：787.51 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,12A,0.65(ohm) GeneralDescription TheseN-channelMOSFETareproducedusingadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowonstateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality. ThesedevicesaresuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications. Feat	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF11N65B	文件：1.07166 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MDF11N65BTH	文件：322.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MDF11N65BTH	文件：787.51 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,12A,0.65(ohm) GeneralDescription TheseN-channelMOSFETareproducedusingadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowonstateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality. ThesedevicesaresuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications. Feat	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDFS11N65B	文件：895.6 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,12A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDFS11N65BTH	文件：322.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MDFS11N65BTH	文件：895.6 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET650V,12A,0.65(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
NCE11N65	文件：614.06 Kbytes Page：9 Pages	SuperJunctionMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
NCE11N65F	文件：614.06 Kbytes Page：9 Pages	SuperJunctionMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無錫新潔能股份無錫新潔能股份有限公司	NCEPOWER
P11N65ZA	文件：1.033069 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
FCPF11N65
功能描述：
MOSFET FG SUPERFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	FCPF11N65	FAIRCHILD/仙童	24+	TO220F	8950	BOM配單專家,發(fā)貨快,價格低	詢價
深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司	FCPF11N65	FAIRCHI	22+	TO-220F	3000	專注原裝正品!現(xiàn)貨庫存!QQ:2369405325	詢價
深圳市億智騰科技有限公司	FCPF11N65	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-220-3PF	3580	原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗歡迎詢價	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	FCPF11N65	onsemi(安森美)	23+	TO-220F	7793	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
深圳市東來寶電子科技有限公司	FCPF11N65	ON	23+	SOIC	96000	鄭重承諾只做原裝進口現(xiàn)貨	詢價
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司	FCPF11N65	FAIRCHILD/仙童	2410+	TO-220F	56000	原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.	詢價
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	FCPF11N65	仙童	23+	TO-220F	5000	原裝正品,假一罰十	詢價
深圳市卓越微芯電子有限公司	FCPF11N65	FAIRCHI	2020+	TO220F	48	百分百原裝正品真實公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	FCPF11N65	NA	19+		70854	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價
深圳市華斯頓科技有限公司	FCPF11N65	FAIRCHILD	22+23+	TO220F	8789	絕對原裝正品全新進口深圳現(xiàn)貨	詢價

更多FCPF11N65供應(yīng)商更新時間2024-10-27 16:36:00

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