首頁>F3L150R07W2E3>芯片詳情

F3L150R07W2E3_INFINEON/英飛凌_IGBT 模塊 IGBT MODULES 650V 150A高捷芯城一部

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    F3L150R07W2E3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Infineon(英飛凌)

  • 庫存數(shù)量：

    11048

  • 產(chǎn)品封裝：

    標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫存類型：

    熱賣庫存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-23 23:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：F3L150R07W2E3品牌：Infineon(英飛凌)

原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開票。

  • 芯片型號(hào)：

    F3L150R07W2E3_B11

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大小：

    836.32 kb

  • 資料說明：

    EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    F3L150R07W2E3

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 IGBT MODULES 650V 150A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    莊小姐

  • 手機(jī)：

    19076157814

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83061789

  • 傳真：

    0755-82550578

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1006號(hào)航都大廈10層

相近型號(hào)