EFC4K110NUZTDG_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-陣列-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號:EFC4K110NUZTDG品牌:onsemi

資料說明:NCH 24V 25A WLCSP DUAL

EFC4K110NUZTDG是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝10-SMD,無引線的EFC4K110NUZTDG晶體管 - FET,MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管,因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類型的操作。也就是說,F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子,而不是同時(shí)使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

  • 芯片型號:

    efc4k110nuztdg

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  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明:

    NCH 24V 25A WLCSP DUAL

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    EFC4K110NUZTDG

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型:

    2 N 溝道(雙)共漏

  • FET 功能:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源電壓(Vdss):

    24V

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    25A

  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):

    49nC @ 4.5V

  • 功率 - 最大值:

    2.5W

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    10-SMD,無引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    10-WLCSP(3.2x2.1)

  • 描述:

    NCH 24V 25A WLCSP DUAL

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
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WLCSP-10
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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