A2T23H200W23SR6_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-NXP USA Inc.

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原廠料號(hào):A2T23H200W23SR6品牌:NXP USA Inc.

資料說明:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

A2T23H200W23SR6是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商N(yùn)XP USA Inc.生產(chǎn)封裝ACP-1230S-4L2S的A2T23H200W23SR6晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào):

    a2t23h200w23sr6

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  • 資料說明:

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    A2T23H200W23SR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.3GHz ~ 2.4GHz

  • 增益:

    15.5dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    51W

  • 封裝/外殼:

    ACP-1230S-4L2S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    ACP-1230S-4L2S

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

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