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DF2B6.8M1ACT

ULTRALOWCAPACITANCEBIDIRECTIONALTVSDIODE

Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:5V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(Lightning)4.5A(8/20μs) RoHSCompliant

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

DF2B6.8M1ACT

ESDProtectionDiodesSiliconEpitaxialPlanar

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多DF2B6.8M1CT供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 10:20:00