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DF2B6.8M1ACT

Marking:21;Package:DFN1006;ULTRA LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE

Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:5V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(Lightning)4.5A(8/20μs) RoHSCompliant

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

DF2B6.8M1ACT

ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

DF2B6.8M1ACT,L3F

Package:SOD-882;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:電路保護 TVS - 二極管 描述:TVS DIODE 5VWM 20VC CST2

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

詳細參數(shù)

  • 型號:

    DF2B6.8M1ACT

  • 功能描述:

    ESD 抑制器 ESD Diode 6V BI 0.3pF 0.5 IR 1 LN

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 通道:

    8 Channels

  • 擊穿電壓:

    8 V

  • 電容:

    45 pF

  • 端接類型:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    uQFN-16 功率耗散

  • 工作溫度范圍:

    - 40 C to + 85 C

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DF2B6.8M1ACT供應(yīng)商 更新時間2025-7-16 14:14:00