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D45H11G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號:D45H11G品牌:ON(安森美)
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價
D45H11G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個。制造商ON(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝TO-220(TO-220-3)/TO-220-3的D45H11G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 型號
:D45H11G
- Configuration
:Single
- Material
:Si
- Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
:1@0.4A@8AV
- Maximum Collector Emitter Voltage
:80V
- Maximum DC Collector Current
:10A
- Maximum Emitter Base Voltage
:5V
- Maximum Operating Temperature
:150°C
- Maximum Power Dissipation
:2000mW
- Maximum Transition Frequency
:40(Typ)MHz
- Type
:PNP
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