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D45H11G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

D45H11G參考圖片

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  • 廠家型號(hào):

    D45H11G

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    ON/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    3680

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-220

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    2410+

  • 庫(kù)存類型:

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2025-8-2 16:12:00

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原廠料號(hào):D45H11G品牌:ON/安森美

原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.

D45H11G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)。制造商O(píng)N/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-220/TO-220-3的D45H11G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號(hào):

    D45H11G

  • 規(guī)格書(shū):

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    5 頁(yè)

  • 文件大小:

    87.33 kb

  • 資料說(shuō)明:

    Complementary Silicon Power Transistors

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    :D45H11G

  • Configuration

    :Single

  • Material

    :Si

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :1@0.4A@8AV

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :80V

  • Maximum DC Collector Current

    :10A

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :5V

  • Maximum Operating Temperature

    :150°C

  • Maximum Power Dissipation

    :2000mW

  • Maximum Transition Frequency

    :40(Typ)MHz

  • Type

    :PNP

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人:

    李先生

  • 手機(jī):

    13751179224

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-82561519/0755-82567969/18928435545

  • 傳真:

    0755-82561519

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)304棟西5樓503室