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CSD23202W10

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/202/marking.html">202；Package：DSBGA；CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET? Power MOSFET

1Features 1?Ultra-LowQgandQgd ?SmallFootprint1mm×1mm ?LowProfile0.62-mmHeight ?PbFree ?GateESDProtection–3kV ?RoHSCompliant ?HalogenFree 2Applications ?BatteryManagement ?LoadSwitch ?BatteryProtection 3Description This12V,44mΩdeviceisdesi

TI2Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD23202W10

采用 1mm x 1mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、53mΩ、-12V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

這款 12V，44mΩ 器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的 1mm × 1mm 小外形封裝內(nèi)提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。; ? 超低 Qg 和 Qgd\n? 小尺寸封裝 1mm x 1mm\n? 薄型，0.62mm 高度\n? 無(wú)鉛\n? 柵極靜電放電 (ESD) 保護(hù) - 3kV\n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)\n? 無(wú)鹵素;

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

TI

CSD23202W10

12-V P-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

TI1

CSD23202W10.B

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/202/marking.html">202；Package：DSBGA；CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET? Power MOSFET

1Features 1?Ultra-LowQgandQgd ?SmallFootprint1mm×1mm ?LowProfile0.62-mmHeight ?PbFree ?GateESDProtection–3kV ?RoHSCompliant ?HalogenFree 2Applications ?BatteryManagement ?LoadSwitch ?BatteryProtection 3Description This12V,44mΩdeviceisdesi

TI2Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD23202W10T

絲印：202；Package：DSBGA；CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET? Power MOSFET

1Features 1?Ultra-LowQgandQgd ?SmallFootprint1mm×1mm ?LowProfile0.62-mmHeight ?PbFree ?GateESDProtection–3kV ?RoHSCompliant ?HalogenFree 2Applications ?BatteryManagement ?LoadSwitch ?BatteryProtection 3Description This12V,44mΩdeviceisdesi

TI2Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD23202W10T.B

絲印：202；Package：DSBGA；CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET? Power MOSFET

1Features 1?Ultra-LowQgandQgd ?SmallFootprint1mm×1mm ?LowProfile0.62-mmHeight ?PbFree ?GateESDProtection–3kV ?RoHSCompliant ?HalogenFree 2Applications ?BatteryManagement ?LoadSwitch ?BatteryProtection 3Description This12V,44mΩdeviceisdesi

TI2Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

CSD23202W10_15

CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET Power MOSFET

TITexas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

TI

CSD23202W10T

12-V P-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州儀器美國(guó)德州儀器公司

TI1

技術(shù)參數(shù)

  • VGS (V)：

    -6

  • Configuration：

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：

    53

  • Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)：

    66

  • Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)：

    92

  • Id peak (Max) (A)：

    -25

  • Id max cont (A)：

    -2.2

  • QG typ (nC)：

    2.9

  • QGD typ (nC)：

    0.28

  • QGS typ (nC)：

    0.55

  • VGSTH typ (V)：

    -0.6

  • Package (mm)：

    WLP 1.0x1.0

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TI/德州儀器
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更多CSD23202W10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 14:14:00

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