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CSD23202W10.B中文資料德州儀器數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CSD23202W10.B
廠商型號

CSD23202W10.B

功能描述

CSD23202W10 12-V P-Channel NexFET? Power MOSFET

絲印標(biāo)識

202

封裝外殼

DSBGA

文件大小

496.59 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI2德州儀器

中文名稱

美國德州儀器公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-7-11 22:59:00

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CSD23202W10.B規(guī)格書詳情

1 Features

1? Ultra-Low Qg and Qgd

? Small Footprint 1 mm × 1 mm

? Low Profile 0.62-mm Height

? Pb Free

? Gate ESD Protection – 3 kV

? RoHS Compliant

? Halogen Free

2 Applications

? Battery Management

? Load Switch

? Battery Protection

3 Description

This 12 V, 44 mΩ device is designed to deliver the

lowest on-resistance and gate charge in a small

1 mm × 1 mm outline with excellent thermal

characteristics in an ultra-low profile.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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