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CGHV35120F	文件：837.74 Kbytes Page：12 Pages	120 W, 2.9 - 3.8 GHz, 50 V, GaN HEMT for S-Band Radar Systems Description Wolfspeed’sCGHV35120Fisagalliumnitride(GaN)highelectron mobilitytransistor(HEMT)designedspecificallywithhighefficiency, highgainandwidebandwidthcapabilities,whichmakesthe CGHV35120Fidealfor2.9-3.8GHzS-Bandradaramplifierapplications. Thetransistori	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
L35120F	文件：171.1 Kbytes Page：1 Pages	LowProfileDesignedforPCBConnections	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
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RD35120J	文件：670.06 Kbytes Page：8 Pages	RADIALLEADEDINDUCTORS	ABCO ABCO ELECTRONICS CO.LTD	ABCO
RD35120K	文件：670.06 Kbytes Page：8 Pages	RADIALLEADEDINDUCTORS	ABCO ABCO ELECTRONICS CO.LTD	ABCO
REF35120	文件：1.15227 Mbytes Page：27 Pages	REF35UltraLow-Power,High-PrecisionVoltageReference	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
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S35120	文件：119.09 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPowerRectifier SiliconPowerRectifier ●LowForwardVoltage ●GlasstoMetalConstruction ●GlassPassivatedDie ●ExcellentReliability ●VRRMto1600V ●1050AmpsSurgeRating	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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