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CEM9952A	文件：1.64528 Mbytes Page：10 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor(N and P Channel) FEATURES ■30V,3.7A,RDS(ON)=80m?@VGS=10V. RDS(ON)=110m?@VGS=4.5V. ■-30V,-2.9A,RDS(ON)=100m?@VGS=-10V. RDS(ON)=150m?@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapab	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CHM9952AJPT	文件：321.79 Kbytes Page：3 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor N-channel:VOLTAGE30VoltsCURRENT3.7Ampere P-channel:VOLTAGE30VoltsCURRENT2.9Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Leadfreeproductisacquired. Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION *Servomo	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
IRF9952	文件：134.65 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-30V) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952PBF	文件：229.77 Kbytes Page：10 Pages	ULTRALOWONRESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952PBF	文件：224.24 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952QPBF	文件：280.44 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheseHEXFET?PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetit	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952QPBF	文件：269.52 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFET?PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetit	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952QTRPBF	文件：269.52 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFET?PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetit	IRF International Rectifier	IRF
IRF9952TRPBF	文件：229.77 Kbytes Page：10 Pages	GenerationVTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
KDS9952A	文件：80.33 Kbytes Page：3 Pages	DualN&P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KRF9952	文件：70.12 Kbytes Page：3 Pages	HEXFETPowerMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
L9952GXP	文件：865.39 Kbytes Page：68 Pages	PowermanagementsystemIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
L9952GXP	文件：1.8271 Mbytes Page：22 Pages	forcarbodyapplications Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
L9952GXP	文件：854.53 Kbytes Page：68 Pages	PowermanagementsystemIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
L9952GXPTR	文件：854.53 Kbytes Page：68 Pages	PowermanagementsystemIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
L9952XP	文件：854.53 Kbytes Page：68 Pages	PowermanagementsystemIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
MAX9952	文件：399.38 Kbytes Page：24 Pages	DualPer-PinParametricMeasurementUnits	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX9952	文件：304.76 Kbytes Page：24 Pages	DualPer-PinParametricMeasurementUnits	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX9952	文件：499.5 Kbytes Page：23 Pages	DualPer-PinParametricMeasurementUnits GeneralDescription TheMAX9951/MAX9952dualparametricmeasurementunits(PMUs)featureasmallpackagesize,wideforceandmeasurementrange,andhighaccuracy,makingthedevicesidealforautomatictestequipment(ATE)andotherinstrumentationthatrequiresaPMUperpinorpersite. TheM	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX9952DCCB	文件：499.5 Kbytes Page：23 Pages	DualPer-PinParametricMeasurementUnits GeneralDescription TheMAX9951/MAX9952dualparametricmeasurementunits(PMUs)featureasmallpackagesize,wideforceandmeasurementrange,andhighaccuracy,makingthedevicesidealforautomatictestequipment(ATE)andotherinstrumentationthatrequiresaPMUperpinorpersite. TheM	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
CEM9952A
制造商：
CET
制造商全稱：
Chino-Excel Technology
功能描述：
Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor(N and P Channel)

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	CEM9952A	CET	24+	SOP8	1000		詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	CEM9952A	CEM	2016+	SOP8	6528	只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!	詢價(jià)
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更多CEM9952A供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-23 16:30:00

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