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CED6601A中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CED6601A
廠商型號

CED6601A

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

428.04 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-1 23:00:00

CED6601A規(guī)格書詳情

FEATURES

-60V, -16A, RDS(ON) = 86mW @VGS = -10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-251 & TO-252 package.

RDS(ON) = 125mW @VGS = -4.5V.

RoHS compliant.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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