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CED12N10L中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CED12N10L
廠商型號

CED12N10L

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

552.85 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-15 16:15:00

CED12N10L規(guī)格書詳情

FEATURES

100V, 11A, RDS(ON) = 175mW @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-251 & TO-252 package.

RoHS compliant.

RDS(ON) = 185mW @VGS = 5V.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    CED12N10L

  • 制造商:

    CET

  • 制造商全稱:

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述:

    N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
CET/華瑞
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