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CED11N65S中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CED11N65S
廠商型號

CED11N65S

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

519.97 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-26 17:47:00

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CED11N65S規(guī)格書詳情

FEATURES

650V, 8A, RDS(ON) = 0.42W @VGS = 10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-251 & TO-252 package.

RoHS compliant.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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