首頁 >BUP314>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

BUP314

IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanche rated)

?Lowforwardvoltagedrop ?Highswitchingspeed ?Lowtailcurrent ?Latch-upfree ?Avalancherated

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BUP314D

IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diode)

?Lowforwardvoltagedrop ?Highswitchingspeed ?Lowtailcurrent ?Latch-upfree ?Includingfastfree-wheeldiode

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BUP314S

IGBT (High switching speed Very low switching losses Low tail current Latch-up free Avalanche rated)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

CHDTC314TKPT

NPNDigitalSiliconTransistor

VOLTAGE30VoltsCURRENT600mAmpere FEATURE *Smallsurfacemountingtype.(SOT-23) *Highcurrentgain. *Suitableforhighpackingdensity. *Lowcolloector-emittersaturation(VCE(sat)=40mV atIC/IB=50mA/2.5mA). *HighCollectorcurrent(IC(Max.)=600mA). *InternalisolatedNPNtrans

CHENMKOchenmko

力勤股份有限公司

CHDTC314TUPT

NPNDigitalSiliconTransistor

VOLTAGE30VoltsCURRENT600mAmpere FEATURE *Smallsurfacemountingtype.(SC-70/SOT-323) *Highcurrentgain. *Suitableforhighpackingdensity. *Lowcolloector-emittersaturation(VCE(sat)=40mV atIC/IB=50mA/2.5mA). *HighCollectorcurrent(IC(Max.)=600mA). *InternalisolatedNP

CHENMKOchenmko

力勤股份有限公司

CL314

SILICONTRANSISTORS

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

CL314

WhitetranslucenthighimpactUVstabilizedacryliclens

LUMINIS

Lumins Inc.

CMD314

DC-10GHzDistributedDriverAmplifier

QORVO

Qorvo, Inc

CMD314

DC-10GHzDistributedDriverAmplifier

QORVO

Qorvo, Inc

CP314

SmallSignalTransistorNPN-HighCurrentTransistorChip

PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize40x40MILS DieThickness9.0MILS BaseBondingPadArea7.9x8.7MILS EmitterBondingPadArea9.0x14MILS TopSideMetalizationAl-30,000? BackSideMetalizationAu-18,000?

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BUP314

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 TRANS IGBT CHIP N-CH 1200V, 52A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
17548
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號開票。
 詢價
西門子
TO-218AB
77
絕對全新原裝強(qiáng)調(diào)只做全新原裝現(xiàn)
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
INF
24+
3P
159534
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
INF
24+
2500
詢價
INFIN
24+
原廠封裝
2000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
INF
23+
NA
6500
全新原裝假一賠十
 詢價
DIP
23+
NA
15659
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!
 詢價
INFINEO
21+
TO-247
12588
原裝正品,自己庫存 假一罰十
 詢價
INFINEON
12+
TO-3P
2500
原裝現(xiàn)貨/特價
 詢價
更多BUP314供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 23:00:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多