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BUF420AW

HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION TheBUF420AWismanufacturedusingHighVoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandhighvoltagecapacity.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingawideRBSOA.TheBUFseriesisdesign

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

BUF420AW

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=450V(Min.) ·HighSpeedSwitching ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforuseinhigh-frequencypowersuppliesand motorcontrolap

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BUF420M

HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION TheBUF420MismanufacturedusingHighVoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandhighvoltagecapacity.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingawideRBSOA.TheBUFseriesisdesig

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

BUF420M

HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION TheBUF420MismanufacturedusingHighVoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandhighvoltagecapacity.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingawideRBSOA.TheBUFseriesisdesig

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

BUF420M

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?WithTO-3packaging ?Largecollectorcurrent ?Lowcollectorsaturationvoltage ?Highpowerdissipation ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?DesignedforuseinDC-DCconverter ?Driverofsolenoidormotor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BZA420A

QuadrupleESDtransientvoltagesuppressor

DESCRIPTION MonolithictransientvoltagesuppressordiodeinasixleadSOT457(SC-74)packagefor4-bitwideESDtransientsuppressionat20Vlevel. FEATURES ?ESDrating>8kV,accordingtoIEC1000-4-2 ?SOT457surfacemountpackage ?Commonanodeconfiguration ?Non-clampingrange?0.5t

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BZA420A

QuadrupleESDtransientvoltagesuppressor

DESCRIPTION MonolithictransientvoltagesuppressordiodeinasixleadSOT457(SC-74)packagefor4-bitwideESDtransientsuppressionat20Vlevel. FEATURES ?ESDrating>8kV,accordingtoIEC1000-4-2 ?SOT457surfacemountpackage ?Commonanodeconfiguration ?Non-clampingrange?0.5t

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BZA420A

QuadrupleESDtransientvoltagesuppressor

FEATURES ?ESDrating>8kV,accordingtoIEC1000-4-2 ?SOT457surfacemountpackage ?Commonanodeconfiguration ?Non-clampingrange?0.5to20V ?Maximumreversepeakpowerdissipation:19.6Wattp=1ms ?Maximumclampingvoltageatpeakpulsecurrent:28VatIZSM=0.7A. APPLICATIONS ?

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

C420

MILITARYSPECIFCATIONSONBACK

KEMETKEMET Corporation

基美基美公司

C420

MULTILAYERCERAMICCAPACITORS/AXIAL&RADIALLEADED

KEMETKEMET Corporation

基美基美公司

晶體管資料

  • 型號：

    BUF420AI

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質：

    LSO

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    850V

  • 最大電流允許值：

    30A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    115W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    B-70

  • vtest：

    850

  • htest：

    999900

  • atest：

    30

  • wtest：

    115

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BUF420AI

  • 功能描述：

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-247VAR

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多BUF420AI供應商 更新時間2025-3-6 18:08:00

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