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BUL128D	文件：66.76 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·Highvoltage,highspeed ·Integratedantiparallelcollector-emitterdiode APPLICATIONS ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcostswitch-modepowersupplies.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
BUL128D	文件：65.58 Kbytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisd	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
BUL128D	文件：267.21 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor EATURES ·Collector–EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=400V(Min.) ·LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=0.7V(Max)@IC=0.5A ·VeryHighSwitchingSpeed DESCRIPTION ·Designedforuseinlightingapplicationsandlowcost switch-modepowersupplies.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
BUL128DB	文件：193.57 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?Collector–EmitterSustainingVoltage :VCEO(SUS)=400V(Min.) ?LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=0.7V(Max)@IC=0.5A ?VeryHighSwitchingSpeed APPLICATIONS ?Designedforelectronicballastsforfluorescentlighting.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
BUL128D-B	文件：72.78 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BUL128DR7	文件：850.41 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Features NPNtransistor,highvoltagecapability,lowspreadofdynamicparameters,minimumlot-to-lotspreadforReliableoperation,veryhighswitchingspeed. Applications Electronicballastsforfluorescentlighting,fl	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
BUL128DR8	文件：802.63 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220FPlasticPackage. Features NPNtransistor,highvoltagecapability,lowspreadofdynamicparameters,minimumlot-to-lotspreadforReliableoperation,veryhighswitchingspeed. Applications Electronicballastsforfluorescentlighting,fl	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司	FOSHAN
BUL128D-B	文件：228.24 Kbytes Page：8 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BUL128D-B_05	文件：228.24 Kbytes Page：8 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BUL128D-B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 400V 4A TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BUL128FP	文件：78.76 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BULB128	文件：216.04 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMulti-EpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BULB128D	文件：210.59 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BULK128	文件：83.21 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA.Thedeviceisdesign	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BULK128	文件：219.98 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BULK128	文件：225.08 Kbytes Page：11 Pages	Highvoltagefast-switchingNPNpowertransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BULK128D	文件：83.21 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA.Thedeviceisdesign	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
BULK128D-B	文件：216.86 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusinghighvoltageMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability.ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA.Thedeviceisdesign	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體集團	STMICROELECTRONICS
CDBH128	文件：137.43 Kbytes Page：2 Pages	SMDPowerInductor	SUMIDASumida America Components Inc. 勝美達電子	SUMIDA
CDBM128	文件：235.84 Kbytes Page：1 Pages	POWERINDUCTORS	SUMIDASumida America Components Inc. 勝美達電子	SUMIDA

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晶體管資料

型號：
BUL128D
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+Di
性質(zhì)：
INTEGR_DAMPER_DI
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
700V
最大電流允許值：
4A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BUL39D,
最大耗散功率：
70W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
B-10
vtest：
700
htest：
999900
atest：
4
wtest：
70

詳細參數(shù)

型號：
BUL128D
制造商：
TGS
制造商全稱：
Tiger Electronic Co.,Ltd
功能描述：
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市星佑電子有限公司	BUL128D	ST	05+	原廠原裝	7051	只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)	詢價
深圳市恒創(chuàng)達實業(yè)有限公司	BUL128D	ST	17+	TO-220	6200		詢價
深圳市錦喆鴻電子有限公司	BUL128D	ST	21+	TO-220	12588	原裝正品,自己庫存假一罰十	詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	BUL128D	ST	20+	TO-220	38900	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價
深圳市國宇半導體科技有限公司	BUL128D	ST/意法	23+	TO-220	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	BUL128D	ST	22+	TO-220	6000	十年配單,只做原裝	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	BUL128D	TH/韓國太虹	2048+	TO220	9851	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價
深圳市富芯樂電子科技有限公司	BUL128D	ST	22+	TO-220	25000	絕對全新原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司	BUL128D	ST/意法半導體	22+	TO-220	25000	只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市明嘉萊科技有限公司	BUL128D	KI	5	TO220	880000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價

更多BUL128D供應(yīng)商更新時間2025-1-16 10:32:00

晶體管資料

詳細參數(shù)

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