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BRUS110	文件：61.25 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FAST RECOVERY 4 to 6 AMPERES SINGLE-PHASE, FULL-WAVE BRIDGES HEAT SINK CHASSIS PC BOARD MOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi
BSP110	文件：75.69 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaminiatureSOT223envelopeanddesignedforuseintelephoneringercircuitsandforapplicationinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speedswitching ?No	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BSP110	文件：977.65 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFETs ?175°CMaximumJunctionTemperature ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
BSP110	文件：374.02 Kbytes Page：14 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?1technology. Productavailability: BSP110inSOT223. 2.Features nTrenchMOS?technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSurfacemountpackage. 3.Applications nRela	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BSR110FE	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司	BITECH
BSR110GE	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司	BITECH
BSR110JE	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司	BITECH
BSR110KE	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司	BITECH
BSR110ME	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司	BITECH
BSS110	文件：76.96 Kbytes Page：9 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92variantpackage. FEATURES ?Lowthresholdvoltage ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?Highspeedswitching ?Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS ?IntendedforuseasaLinecurrentinterruptorin telepho	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BSS110	文件：80.51 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(PchannelEnhancementmodeLogicLevel) SIPMOS?Small-SignalTransistor ?Pchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?VGS(th)=-0.8...-2.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BSS110	文件：285.09 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisdesignedtominimizeon-stateresistance,provideruggedandreliableperformanceandfastswitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BT110S	文件：347.47 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
BTS110	文件：320.67 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BTS110	文件：560.58 Kbytes Page：10 Pages	TEMPFET(N-channelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BTS110	文件：331.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BUZ110S	文件：122.28 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BUZ110S	文件：139.69 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS?PowerTransistor SIPMOSPowerTransistor ProductSummary DrainsourcevoltageVDS55V Drain-Sourceon-stateresistanceRDS(on)0.01? ContinuousdraincurrentID80A Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated ?175?Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BUZ110SL	文件：121.06 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BV-SMAJ110A	文件：159.7 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司	Bencent

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
BRUS110
制造商：
EDI
制造商全稱：
Electronic devices inc.
功能描述：
ULTRA-FAST RECOVERY 4 to 6 AMPERES SINGLE-PHASE, FULL-WAVE BRIDGES HEAT SINK CHASSIS PC BOARD MOUNTING

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市永貝爾科技有限公司	BRUS110	EDI	23+	NA	39960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BRU-SS-103DB	AFE	23+	DIP	12560	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	BRV134UA	BB	23+	SOP	8931		詢價
深圳市近平電子有限公司	BRV134UA	BB	6000	面議	19	SOP	詢價

更多BRUS110供應(yīng)商更新時間2025-1-16 9:18:00

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