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BQ4010YMA-85N集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
BQ4010YMA-85N |
參數(shù)屬性 | BQ4010YMA-85N 封裝/外殼為28-DIP 模塊(0.61",15.49mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP |
功能描述 | 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V) |
封裝外殼 | 28-DIP 模塊(0.61",15.49mm) |
文件大小 |
178.13 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
18 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Texas Instruments |
企業(yè)簡稱 |
TI【德州儀器】 |
中文名稱 | 美國德州儀器公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-21 19:39:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BQ4010YMA-85N
- 制造商:
Texas Instruments
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
NVSRAM
- 技術(shù):
NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存儲容量:
64Kb(8K x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
85ns
- 電壓 - 供電:
4.5V ~ 5.5V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
28-DIP 模塊(0.61",15.49mm)
- 供應(yīng)商器件封裝:
28-DIP 模塊(18.42x37.72)
- 描述:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
20+ |
DIP-32 |
2950 |
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詢價 | ||
Texas Instruments |
24+ |
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